Гамма-детектори реєстрації під час буріння (LWD) повинні стабільно працювати при температурах 175 градусів і навіть вище, а проблеми, з якими стикаються, значно перевищують ті, які можна вирішити простим високо-температурним екрануванням електронних компонентів. Весь ланцюжок виявлення - від сцинтиляційних кристалів і фотоелектричного перетворення до обробки сигналу - має підтримувати постійну продуктивність в умовах обмеженого простору, сильної вібрації та ударів, а також різких температурних коливань. Численні інженерні рішення, зазначені в технічних специфікаціях двох моделей Qingdao ZITN, ZTFT-A та ZTNGT-254, служать ідеальною відправною точкою для розуміння технічних бар’єрів у цій галузі.
Технологія-високотемпературного пакування для кристалів йодиду натрію
Активовані талієм{0}}кристали йодиду натрію залишаються основним вибором для поточного гамма-виявлення LWD через їх високу світловіддачу та сприятливу енергетичну реакцію. Однак такі кристали дуже гігроскопічні, і поширення мікротріщин, спричинене зміною температури, різко знизить ефективність пропускання світла. Використовуючи вікно виявлення, виготовлене зі спеціально оброблених матеріалів у поєднанні з повністю герметичною конструкцією корпусу, продукти ZITN не лише реалізують спрямоване вибіркове (сфокусоване) виявлення, але, що більш важливо, створюють подвійний ізоляційний бар’єр проти парів вологи та механічних навантажень. У діапазоні температур зберігання від -40 градусів до 185 градусів відповідність коефіцієнтів теплового розширення між кристалом і металевим корпусом, дизайн буферного шару та процес герметичного зварювання безпосередньо визначають швидкість збереження чутливості детектора після кількох операцій відключення.
Технологія стабілізації посилення для високотемпературних фотопомножувачів-
Фотопомножувач Hamamatsu R3991A (ФЕУ) є основним компонентом обох детекторів. Коефіцієнт посилення ФЕУ дуже-чутливий до температури: кожне підвищення температури на 1 градус спричиняє вимірну зміну коефіцієнта вторинної емісії електронів динода. Без компенсації амплітуда вихідного імпульсу на 175 градусів може впасти в кілька разів. Продукти ZITN інтегрують мережу температурної компенсації в модуль живлення високої-напруги або використовують активне регулювання зворотного зв’язку, щоб підтримувати коефіцієнт посилення ФЕУ відносно рівним у широкому діапазоні температур. Як вказує індекс специфікації ±10% точності (від 25 градусів до 175 градусів), його продуктивність температурної компенсації досягла рівня основних міжнародних інструментів LWD.
Слабке виділення сигналу та дизайн стійкості до вібрації
Імпульсний вихідний сигнал сцинтиляційних детекторів становить лише кілька мікросекунд завдовжки з амплітудою на рівні мілівольт-. В умовах випадкової вібрації 20G RMS і ударів 1000G п’єзоелектричні ефекти, трибоелектричний шум і електромагнітні перешкоди можуть легко перевершити справжні сигнали підрахунку. Механічно детектори ZITN застосовують жорстке попереднє навантаження на інтерфейсі оптичного з’єднання кристалічного-світловоду-ФЕУ; у схемотехніці застосовано формування короткого імпульсу та адаптивне регулювання порогу розрізнення, щоб забезпечити низький-шум у робочих умовах із вібрацією. Зокрема, сфокусований гамма-детектор ZTFT-A потрібно встановити поблизу свердла, його ударостійкість підвищена до 1000G, що означає, що внутрішній метод фіксації кристала та опорна структура гнізда PMT пройшли спеціальну посилену конструкцію.
Широке-керування напругою та розсіюванням тепла
Широкий діапазон вхідної напруги 10-48 В постійного струму вказує на те, що детектор внутрішньо інтегровано з високо-ефективними схемами перетворення постійного струму-постійного струму. Він сумісний із напругою шини різних збірок нижньої-свердловини та пригнічує ефект модуляції пульсацій джерела живлення високої напруги ФЕУ. При температурі навколишнього середовища 175 градусів контроль температурного дрейфу робочого струму є особливо критичним. ZTNGT-254 показує різницю струму в 10 мА при кімнатній температурі проти 15 мА при 175 градусах. Цей тонкий параметр відображає точний контроль ZITN над високотемпературними шляхами струму витоку, запобігаючи несправності вимикання свердловинного приладу, викликані тепловими розбігами.
Для отримання додаткової інформації, будь ласка, зв'яжіться з нами електронною поштою:marketing@qdzitn.com!